UVLED產(chǎn)業(yè)的國內(nèi)發(fā)展?fàn)顩r
時間:2021-03-25 13:49來源:未知點(diǎn)擊: 次
國內(nèi)產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)
近年來,I
國紫外UVLED技術(shù)應(yīng)用發(fā)展相對較快。 除了一些科研機(jī)構(gòu)對UVLED的研究取得豐碩成果外,國內(nèi)LED公司也在
紫外LED領(lǐng)域上開放自己的市場。
紫外LED芯片的波長越短,技術(shù)難度就越大,
紫外LED芯片場越深具有廣闊的前景。
未來的研究方向
基于
紫外LED芯片的研究現(xiàn)狀,預(yù)計(jì)其未來的研究和發(fā)展方向?qū)ㄒ韵聨讉方面:高質(zhì)量的深紫外材料外延生長技術(shù)的研究; 高鋁成分的AlGaN材料生長技術(shù)和摻雜雜項(xiàng)技術(shù); 深紫外LED結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì);300nm以下的波長
LED器件芯片制作工藝和
封裝技術(shù);
UV源模塊開發(fā)及其在醫(yī)療,消毒和凈化應(yīng)用中的應(yīng)用; 近紫外LED激發(fā)磷光體以制備高性能的白光LED。
未來的技術(shù)問題
將來要解決的技術(shù)問題是在藍(lán)寶石襯底上
MOCVD外延高質(zhì)量AlN模板的增長;
AlGaN量子阱發(fā)光機(jī)理研究與結(jié)構(gòu)控制技術(shù);
P型高Al組分AlGaN摻雜技術(shù)研究; 產(chǎn)量低
歐姆接觸電極; 解決當(dāng)前的擁塞效應(yīng);
紫外LED出光效率改進(jìn)技術(shù); 高效合成熒光材料; 耐熱,抗UV包裝材料的研究; 深紫外LED器件技術(shù)和
封裝技術(shù); 深海UVLED模塊開發(fā)的應(yīng)用等。在國內(nèi)外眾多UVLED研究人員的共同努力下,相信
紫外LED芯片的應(yīng)用前景將是光明的。
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