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美國研發(fā)大功率UVLED

時間:2021-07-12 09:32來源:未知點擊:
UVLED的發(fā)光功率低,主要是受制于模具生產(chǎn)、材料和封裝技術水平的限制。 目前,UV LED封裝主要包括環(huán)氧樹脂封裝和金屬和玻璃鏡片。 前者主要用于400nm左右的近紫外LED,但材料受UV輻射老化影響較大。 后者主要應用于波長小于380nm的UVLED。GaN、藍寶石等材料與空氣折射率差較大,造成全反射,限制光效,封裝后光輸出效率低。 美國桑迪亞國家實驗室開發(fā)的一種高功率紫外發(fā)光二極管(LED),采用倒裝芯片和導熱基板,可以提高亮度和效率。 在DC工作模式下,一臺設備可以提供1.3mW的290nm連續(xù)輻射,另一臺可以提供0.4mW的275nm輻射。 它具有體積小、幾乎無需維護、功耗極低的特點,適用于隱蔽通信的非視距發(fā)射機、手持生物傳感器固態(tài)照明等場合。 大功率LED(HP LED)可以在數(shù)百毫安下工作(普通LED的工作電流為幾十毫安),有的甚至超過1A,因此可以發(fā)出非常強的光。 因為過熱是破壞性的,所以HP LED的效率必須很高,才能最大限度地減少熱量的產(chǎn)生,并且需要安裝在散熱器上散熱,否則沒有散熱的HP LED會在幾秒鐘內燒壞。 由于很難用一種GaN活性層來制作高效率的發(fā)光器件,商用大功率UV(波長大于290nm)、藍/綠光發(fā)射二極管都使用InGaN活性層。1mW輸出功率,400nm波長InGaN/AlGaN雙異質結構紫外發(fā)光二極管,外量子效率達到7.5%

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